是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | LFBGA, BGA48,6X8,30 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 100 ns |
备用内存宽度: | 8 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | 长度: | 10 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大待机电流: | 0.000001 A |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV4010BIG70 | BSI |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | |
BS616LV4010BIP10 | BSI |
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Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MINIBGA-48 | |
BS616LV4010BIP70 | BSI |
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Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48 | |
BS616LV4010DC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4010DI | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4010EC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit | |
BS616LV4010EC10 | BSI |
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Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | |
BS616LV4010EC70 | BSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | |
BS616LV4010ECG10 | BSI |
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Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 | |
BS616LV4010ECG70 | BSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 |