5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BS616LV2010EC10
BS616LV2010EC10 PDF预览

BS616LV2010EC10

更新时间： 2024-12-02 03:27:23
品牌 Logo 应用领域
BSI 静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 260K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44

阅读下载

中文翻译

获取价格

BS616LV2010EC10 数据手册

 浏览型号BS616LV2010EC10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV2010EC10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV2010EC10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV2010EC10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV2010EC10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV2010EC10的Datasheet PDF文件第7页 
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM  
128K X 16 bit  
BSI  
BS616LV2010  
„ FEATURES  
„ DESCRIPTION  
The BS616LV2010 is a high performance, very low power CMOS Static  
Random Access Memory organized as 131,072 words by 16 bits and  
operates from a wide range of 2.7V to 3.6V supply voltage.  
• Very low operation voltage : 2.7 ~ 3.6V  
• Very low power consumption :  
Vcc = 3.0V  
C-grade: 25mA (Max.) operating current  
Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both high  
speed and low power features with a typical CMOS standby current  
of 0.15uA and maximum access time of 70ns in 3V operation.  
Easy memory expansion is provided by active LOW chip enable(CE)  
, active LOW output enable(OE) and three-state output drivers.  
The BS616LV2010 has an automatic power down feature, reducing the  
power consumption significantly when chip is deselected.  
I-grade: 30mA (Max.) operating current  
0.15uA (Typ.) CMOS standby current  
• High speed access time :  
-70  
-10  
70ns (Max.) at Vcc = 3.0V  
100ns (Max.) at Vcc = 3.0V  
• Automatic power down when chip is deselected  
• Three state outputs and TTL compatible  
• Fully static operation  
The BS616LV2010 is available in 44L-TSOP2 and 48-ball BGA package.  
• Data retention supply voltage as low as 1.5V  
• Easy expansion with CE and OE options  
• I/O Configuration x8/x16 selectable by LB and UB pin  
„ PRODUCT FAMILY  
POWER DISSIPATION  
SPEED  
STANDBY  
Operating  
PRODUCT  
FAMILY  
OPERATING  
TEMPERATURE  
Vcc  
RANGE  
( ns )  
( ICCSB1 , Max )  
( ICC, Max )  
PKG TYPE  
Vcc=3.0V  
Vcc=3.0V  
Vcc=3.0V  
BS616LV2010EC  
BS616LV2010AC  
BS616LV2010EI  
BS616LV2010AI  
TSOP2-44  
+0O C to +70O C 2.7V ~ 3.6V  
-40O C to +85O C 2.7V ~ 3.6V  
70 / 100  
70 / 100  
8uA  
25mA  
30mA  
BGA-48-0608  
TSOP2-44  
BGA-48-0608  
12uA  
„ BLOCK DIAGRAM  
„ PIN CONFIGURATIONS  
1
2
3
4
5
6
A8  
A13  
A
B
C
D
E
F
LB  
D8  
D9  
OE  
UB  
A0  
A3  
A5  
A1  
A4  
A2  
N.C.  
D0  
A15  
Address  
20  
A16  
A14  
1024  
CE  
D1  
Input  
Row  
Decoder  
Memory Array  
1024 x 2048  
A12  
A7  
D10  
A6  
D2  
Buffer  
A6  
A5  
A4  
VSS D11 N.C.  
A7  
D3  
VCC  
VSS  
VCC  
D14  
D12  
D13  
N.C.  
A14  
A16  
A15  
A13  
A10  
D4  
2048  
Data  
Input  
Buffer  
16  
16  
16  
D5  
D6  
D7  
Column I/O  
DQ0  
.
.
.
.
.
.
.
.
Write Driver  
Sense Amp  
N.C.  
A8  
G
H
D15  
N.C.  
A12  
A9  
WE  
A11  
N.C.  
128  
Data  
Output  
16  
Buffer  
Column Decoder  
DQ15  
48-ball BGA top view  
14  
CE  
WE  
OE  
UB  
1
2
3
4
5
6
7
8
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
A5  
A6  
A7  
OE  
UB  
LB  
Control  
Address Input Buffer  
CE  
LB  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
VCC  
GND  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
WE  
A16  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11 A9 A3 A2 A1  
A0 A10  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
GND  
VCC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
A8  
A9  
A10  
A11  
NC  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
Vcc  
BS616LV2010EC  
BS616LV2010EI  
Gnd  
Brilliance Semiconductor, Inc. reserves the right to modify document contents without notice.  
Revision 2.3  
R0201-BS616LV2010  
1
Jan.  
2004  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与BS616LV2010EC10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS616LV2010EC70 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
BS616LV2010ECG10 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
BS616LV2010ECG70 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
BS616LV2010ECP10 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
BS616LV2010ECP70 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
BS616LV2010EI BSI

获取价格

 		Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2010EI10 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44
BS616LV2010EI70 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
BS616LV2010EIG10 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
BS616LV2010EIG70 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44

与BS616LV2010EC10相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证