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BS616LV2010EI10

更新时间： 2024-12-02 03:27:23
品牌 Logo 应用领域
BSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 260K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44

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BS616LV2010EI10 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSOP, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
Is Samacsys：N最长访问时间：100 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3端子数量：44
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.000005 A最小待机电流：1.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.03 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BS616LV2010EI10 数据手册

 浏览型号BS616LV2010EI10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV2010EI10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV2010EI10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV2010EI10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV2010EI10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV2010EI10的Datasheet PDF文件第7页 
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM  
128K X 16 bit  
BSI  
BS616LV2010  
„ FEATURES  
„ DESCRIPTION  
The BS616LV2010 is a high performance, very low power CMOS Static  
Random Access Memory organized as 131,072 words by 16 bits and  
operates from a wide range of 2.7V to 3.6V supply voltage.  
• Very low operation voltage : 2.7 ~ 3.6V  
• Very low power consumption :  
Vcc = 3.0V  
C-grade: 25mA (Max.) operating current  
Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both high  
speed and low power features with a typical CMOS standby current  
of 0.15uA and maximum access time of 70ns in 3V operation.  
Easy memory expansion is provided by active LOW chip enable(CE)  
, active LOW output enable(OE) and three-state output drivers.  
The BS616LV2010 has an automatic power down feature, reducing the  
power consumption significantly when chip is deselected.  
I-grade: 30mA (Max.) operating current  
0.15uA (Typ.) CMOS standby current  
• High speed access time :  
-70  
-10  
70ns (Max.) at Vcc = 3.0V  
100ns (Max.) at Vcc = 3.0V  
• Automatic power down when chip is deselected  
• Three state outputs and TTL compatible  
• Fully static operation  
The BS616LV2010 is available in 44L-TSOP2 and 48-ball BGA package.  
• Data retention supply voltage as low as 1.5V  
• Easy expansion with CE and OE options  
• I/O Configuration x8/x16 selectable by LB and UB pin  
„ PRODUCT FAMILY  
POWER DISSIPATION  
SPEED  
STANDBY  
Operating  
PRODUCT  
FAMILY  
OPERATING  
TEMPERATURE  
Vcc  
RANGE  
( ns )  
( ICCSB1 , Max )  
( ICC, Max )  
PKG TYPE  
Vcc=3.0V  
Vcc=3.0V  
Vcc=3.0V  
BS616LV2010EC  
BS616LV2010AC  
BS616LV2010EI  
BS616LV2010AI  
TSOP2-44  
+0O C to +70O C 2.7V ~ 3.6V  
-40O C to +85O C 2.7V ~ 3.6V  
70 / 100  
70 / 100  
8uA  
25mA  
30mA  
BGA-48-0608  
TSOP2-44  
BGA-48-0608  
12uA  
„ BLOCK DIAGRAM  
„ PIN CONFIGURATIONS  
1
2
3
4
5
6
A8  
A13  
A
B
C
D
E
F
LB  
D8  
D9  
OE  
UB  
A0  
A3  
A5  
A1  
A4  
A2  
N.C.  
D0  
A15  
Address  
20  
A16  
A14  
1024  
CE  
D1  
Input  
Row  
Decoder  
Memory Array  
1024 x 2048  
A12  
A7  
D10  
A6  
D2  
Buffer  
A6  
A5  
A4  
VSS D11 N.C.  
A7  
D3  
VCC  
VSS  
VCC  
D14  
D12  
D13  
N.C.  
A14  
A16  
A15  
A13  
A10  
D4  
2048  
Data  
Input  
Buffer  
16  
16  
16  
D5  
D6  
D7  
Column I/O  
DQ0  
.
.
.
.
.
.
.
.
Write Driver  
Sense Amp  
N.C.  
A8  
G
H
D15  
N.C.  
A12  
A9  
WE  
A11  
N.C.  
128  
Data  
Output  
16  
Buffer  
Column Decoder  
DQ15  
48-ball BGA top view  
14  
CE  
WE  
OE  
UB  
1
2
3
4
5
6
7
8
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
A5  
A6  
A7  
OE  
UB  
LB  
Control  
Address Input Buffer  
CE  
LB  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
VCC  
GND  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
WE  
A16  
A15  
A14  
A13  
A12  
A11 A9 A3 A2 A1  
A0 A10  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
GND  
VCC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
A8  
A9  
A10  
A11  
NC  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
Vcc  
BS616LV2010EC  
BS616LV2010EI  
Gnd  
Brilliance Semiconductor, Inc. reserves the right to modify document contents without notice.  
Revision 2.3  
R0201-BS616LV2010  
1
Jan.  
2004  
1234567...9

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与BS616LV2010EI10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS616LV2010EI70 BSI

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 		Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
BS616LV2010EIG10 BSI

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 		Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
BS616LV2010EIG70 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
BS616LV2010EIP10 BSI

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 		Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
BS616LV2010EIP70 BSI

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PDSO44
BS616LV2011 BSI

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 		Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011AC BSI

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 		Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011AI BSI

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 		Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011DC BSI

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 		Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
BS616LV2011DI BSI

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 		Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit

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