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BS616LV2010EC

更新时间： 2024-11-30 23:04:27
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BSI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 196K
描述
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit

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BS616LV2010EC 数据手册

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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM  
128K X 16 bit  
BSI  
BS616LV2010  
„ FEATURES  
„ DESCRIPTION  
• Very low operation voltage : 2.7 ~ 3.6V  
• Very low power consumption :  
The BS616LV2010 is a high performance, very low power CMOS Static  
Random Access Memory organized as 131,072 words by 16 bits and  
operates from a wide range of 2.7V to 3.6V supply voltage.  
Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both high  
speed and low power features with a typical CMOS standby current  
of 0.15uA and maximum access time of 70/100ns in 3V operation.  
Easy memory expansion is provided by active LOW chip  
enable(CE), active LOW output enable(OE) and three-state output  
drivers.  
Vcc = 3.0V  
C-grade: 25mA (Max.) operating current  
I-grade: 30mA (Max.) operating current  
0.15uA (Typ.) CMOS standby current  
• High speed access time :  
-70  
-10  
70ns (Max.) at Vcc = 3.0V  
100ns (Max.) at Vcc = 3.0V  
• Automatic power down when chip is deselected  
• Three state outputs and TTL compatible  
• Fully static operation  
The BS616LV2010 has an automatic power down feature, reducing the  
power consumption significantly when chip is deselected.  
The BS616LV2010 is available in DICE form , JEDEC standard  
44-pin TSOP Type II package. 48-pin TSOP Type I package and 48-ball  
BGA package.  
• Data retention supply voltage as low as 1.5V  
• Easy expansion with CE and OE options  
• I/O Configuration x8/x16 selectable by LB and UB pin  
„ PRODUCT FAMILY  
POWER DISSIPATION  
SPEED  
(ns)  
STANDBY  
Operating  
PRODUCT  
FAMILY  
OPERATING  
Vcc  
PKG TYPE  
( ICCSB1, Max )  
( ICC, Max )  
TEMPERATURE  
RANGE  
Vcc=3.0V  
70 / 100  
70 / 100  
Vcc=3.0V  
8uA  
Vcc=3.0V  
25mA  
BS616LV2010EC  
BS616LV2010EI  
+0 O C to +70O  
-40 O C to +85O  
C
C
2.7V ~ 3.6V  
2.7V ~ 3.6V  
TSOP2-44  
TSOP2-44  
12uA  
30mA  
„ PIN CONFIGURATIONS  
„ BLOCK DIAGRAM  
A8  
A13  
A15  
A16  
A14  
Address  
20  
1024  
Row  
Input  
Memory Array  
1024 x 2048  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
Buffer  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A4  
A5  
Decoder  
2
A3  
A6  
3
A2  
A7  
4
A1  
OE  
5
A0  
UB  
6
CE  
LB  
2048  
7
DQ0  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
GND  
VCC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
8
DQ1  
Data  
9
16  
16  
16  
DQ2  
Column I/O  
Input  
DQ0  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
BS616LV2010EC  
BS616LV2010EI  
DQ3  
VCC  
GND  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
WE  
Buffer  
.
.
.
.
.
.
.
.
Write Driver  
Sense Amp  
128  
Data  
16  
Output  
Buffer  
Column Decoder  
A16  
A15  
A14  
A13  
A12  
A8  
A9  
A10  
A11  
NC  
DQ15  
14  
CE  
WE  
OE  
UB  
Control  
Address Input Buffer  
LB  
A11 A9 A3 A2 A1  
A0 A10  
Vcc  
Gnd  
Brilliance Semiconductor Inc. reserves the right to modify document contents without notice.  
Revision 2.2  
April. 2001  
R0201-BS616LV2010  
1
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS616LV2010EC10 BSI

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BS616LV2010EC70 BSI

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