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BLF0810-180

更新时间： 2024-09-30 22:48:27

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	119K
描述
Base station LDMOS transistors

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BLF0810-180 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	75 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

M3D379

M3D461

BLF0810-180; BLF0810S-180

Base station LDMOS transistors

Product speciﬁcation

2003 Jun 12

Supersedes data of 2003 May 09

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLF0810-90	NXP	获取价格	Base station LDMOS transistors
BLF0810S-180	NXP	获取价格	Base station LDMOS transistors
BLF0810S-90	NXP	获取价格	Base station LDMOS transistors
BLF082	TE	获取价格	surface Mountable RFI Filters
BLF0910H6L500U	ETC	获取价格	RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A
BLF0910H6LS500U	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 65V 14.8DB SOT12751
BLF0910H9LS600	AMPLEON	获取价格	Power LDMOS transistor
BLF0910H9LS600J	ETC	获取价格	BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
BLF0910H9LS600U	ETC	获取价格	BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
BLF0910H9LS750P	AMPLEON	获取价格	Power LDMOS transistor