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BLF0810-180

更新时间： 2024-11-19 22:48:27

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	119K
描述
Base station LDMOS transistors

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BLF0810-180 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	75 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

M3D379

M3D461

BLF0810-180; BLF0810S-180

Base station LDMOS transistors

Product speciﬁcation

2003 Jun 12

Supersedes data of 2003 May 09

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLF0810-90	NXP	获取价格	Base station LDMOS transistors
BLF0810S-180	NXP	获取价格	Base station LDMOS transistors
BLF0810S-90	NXP	获取价格	Base station LDMOS transistors
BLF082	TE	获取价格	surface Mountable RFI Filters
BLF0910H6L500U	ETC	获取价格	RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A
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BLF0910H9LS750P	AMPLEON	获取价格	Power LDMOS transistor