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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 65 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLF1049 | NXP |
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Base station LDMOS transistor |
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| BLF10H6600PSU | ETC |
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RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B |
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| BLF10H6600PU | ETC |
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RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A |
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| BLF10M6135U | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A |
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| BLF10M6160U | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A |
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| BLF10M6200U | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A |
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| BLF10M6LS135U | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B |
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| BLF10M6LS160U | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B |
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| BLF10M6LS200U | ETC |
获取价格 |
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B |
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| BLF11/2 | LITTELFUSE |
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Axial Lead and Cartridge Fuses - Midget |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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