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BLF0810-90

更新时间: 2024-11-20 03:22:11
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恩智浦 - NXP 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
16页 108K
描述
Base station LDMOS transistors

BLF0810-90 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:75 VFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BLF0810-90 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF0810-90; BLF0810S-90  
Base station LDMOS transistors  
Product specification  
2003 Jun 12  
Supersedes data of 2003 May 09  

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