是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | CERAMIC, SOT-467C, 2 PIN | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.7 | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 65 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 4.5 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | R-CDFM-F2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BLF1046,112 | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C | |
BLF1046,135 | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 14DB SOT467C | |
BLF1047 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor | |
BLF1048 | NXP |
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UHF power LDMOS transistor | |
BLF1049 | NXP |
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Base station LDMOS transistor | |
BLF10H6600PSU | ETC |
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RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B | |
BLF10H6600PU | ETC |
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RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A | |
BLF10M6135U | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A | |
BLF10M6160U | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A | |
BLF10M6200U | ETC |
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RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A |