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BLF0810S-90

更新时间: 2024-11-24 03:22:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 108K
描述
Base station LDMOS transistors

BLF0810S-90 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLATPACK, R-CDFP-F3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:75 V
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFP-F3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLF0810S-90 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLF0810-90; BLF0810S-90  
Base station LDMOS transistors  
Product specification  
2003 Jun 12  
Supersedes data of 2003 May 09  

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