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BFR360FH6765

更新时间： 2024-11-16 14:48:47

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英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	572K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, TSFP-3

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BFR360FH6765 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.5 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	14000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR360FH6765 数据手册

BFR360F

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

• Low noise amplifier for low current applications

• Collector design supports 5 V supply voltage

• For oscillators up to 3.5 GHz

• Low noise figure 1.0 dB at 1.8 GHz

• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small

flat package with visible leads

• Qualification report according to AEC-Q101 available

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFR360F

Marking

FBs

Pin Configuration

2 = E 3 = C

Package

TSFP-3

1 = B

Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

210

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

Base current

Total power dissipation

tot

T ≤ 98°C

150

-55 ... 150

Junction temperature

Storage temperature

Stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

250

Unit

K/W

thJS

T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

For the definition of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJS

2013-11-06

12 3 4 5 6 7...9

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