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BFR360T

更新时间: 2024-11-15 22:39:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 104K
描述
NPN Silicon RF Transistor

BFR360T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-75包装说明:SC-75, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.67
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.035 A
基于收集器的最大容量:0.5 pF集电极-发射极最大电压:6 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
最高频带:S BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):14000 MHz
Base Number Matches:1

BFR360T 数据手册

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BFR360T  
NPN Silicon RF Transistor  
Preliminary data  
3
Low voltage/ low current operation  
For low noise amplifiers  
For Oscillators up to 3.5 GHz and Pout > 10 dBm  
Low noise figure: 1.0 dB at 1.8 GHz  
2
1
VPS05996  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFR360T  
Marking  
FBs  
Pin Configuration  
2 = E 3 = C  
Package  
SC75  
1 = B  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
6
15  
15  
2
35  
4
210  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
C
Base current  
I
B
1)  
Total power dissipation  
81°C  
P
tot  
T
S
150  
-65 ... 150  
-65 ... 150  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
j
T
T
A
stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
325  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1
2
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
For calculation of R  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
thJA  
Jun-16-2003  
1

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