BFR360T

更新时间： 2024-09-28 22:39:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
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NPN Silicon RF Transistor

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BFR360T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SC-75, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.5 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	14000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR360T 数据手册

BFR360T

NPN Silicon RF Transistor

Preliminary data

Low voltage/ low current operation

For low noise amplifiers

For Oscillators up to 3.5 GHz and Pout > 10 dBm

Low noise figure: 1.0 dB at 1.8 GHz

VPS05996

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFR360T

Marking

FBs

Pin Configuration

2 = E 3 = C

Package

SC75

1 = B

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

210

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

Base current

Total power dissipation

81°C

tot

150

-65 ... 150

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

325

Unit

K/W

thJS

T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

Jun-16-2003

12 3 4

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