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BFQ67W-T

更新时间: 2024-11-21 20:05:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 250K
描述
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

BFQ67W-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.68
其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:10 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.3 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8000 MHz
Base Number Matches:1

BFQ67W-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFQ67W  
NPN 8 GHz wideband transistor  
Product specification  
September 1995  

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