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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFR101ATRL | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| BFR101ATRL13 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| BFR101B | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| BFR101B | NXP |
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TRANSISTOR 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signa |
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| BFR101B | PHILIPS |
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Transistor, |
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| BFR101BTRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| BFR101BTRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| BFR106 | NXP |
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NPN 5 GHz wideband transistor |
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| BFR106 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers For linear broadband amplif |
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| BFR106 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 15V 0.1A 3-Pin TO-236AB |
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