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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| 最高频带： | L BAND | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.3 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BFQ67W,115 | NXP |
完全替代  |
BFQ67W - NPN 8 GHz wideband transistor SC-70 3-Pin |
|
| BFQ67W | NXP |
完全替代 |
NPN 8 GHz wideband transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFQ67_08 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
|
| BFQ67_15 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 8 GHz wideband transistor |
|
| BFQ67_2015 | JMNIC |
获取价格 |
NPN 8 GHz wideband transistor |
|
| BFQ67F | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
|
| BFQ67-GS08 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Millimeter Wave Band, Silicon, |
|
| BFQ67-GS18 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Millimeter Wave Band, Silicon, |
|
| BFQ67R | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
|
| BFQ67T | NXP |
获取价格 |
NPN 8 GHz wideband transistor |
|
| BFQ67-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP RF Smal |
|
| BFQ67T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23 |
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