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BFQ67

更新时间: 2024-11-20 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
12页 107K
描述
NPN 8 GHz wideband transistor

BFQ67 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:PLASTIC PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.62
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:10 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
最高频带:L BANDJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.3 W
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):8000 MHzBase Number Matches:1

BFQ67 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BFQ67  
NPN 8 GHz wideband transistor  
1998 Aug 27  
Product specification  
Supersedes data of September 1995  
File under Discrete Semiconductors, SC14  

BFQ67 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BFQ67W,115 NXP

完全替代

BFQ67W - NPN 8 GHz wideband transistor SC-70 3-Pin
BFQ67W NXP

完全替代

NPN 8 GHz wideband transistor

与BFQ67相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFQ67_08 VISHAY

获取价格

Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ67_15 JMNIC

获取价格

NPN 8 GHz wideband transistor
BFQ67_2015 JMNIC

获取价格

NPN 8 GHz wideband transistor
BFQ67F VISHAY

获取价格

Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ67-GS08 TEMIC

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Millimeter Wave Band, Silicon,
BFQ67-GS18 TEMIC

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Millimeter Wave Band, Silicon,
BFQ67R VISHAY

获取价格

Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ67T NXP

获取价格

NPN 8 GHz wideband transistor
BFQ67-T NXP

获取价格

TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP RF Smal
BFQ67T/R ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23