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BFQ67-T

更新时间: 2024-11-22 03:04:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 98K
描述
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP RF Small Signal

BFQ67-T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-23包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.88其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:10 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
最高频带:L BANDJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:0.3 W最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8000 MHz

BFQ67-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFQ67T  
NPN 8 GHz wideband transistor  
Product specification  
2000 Mar 06  
Supersedes data of 1999 Nov 02  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BFQ67T/R ETC

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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
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TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
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TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-75, 3 PIN, BIP RF Smal
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