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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 基于收集器的最大容量： | 0.6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 5000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BF776 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| BF776-E6327 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon Germanium, NPN |
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| BF776E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| BF776H6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| BF776-H6327 | INFINEON |
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High Performance NPN Bipolar RF Transistor |
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| BF776H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| BF777 | INFINEON |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR (FOR UHF/VHF FREQUENCY CONVERTERS AND LOCAL OSCILLATORS) |
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| BF777W | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN |
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| BF799 | INFINEON |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR (For linear broadband amplifier applications up to 500 MHz SAW f |
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| BF799_07 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor |
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