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BF799E6327HTSA1

更新时间： 2024-11-11 21:11:39

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	520K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

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BF799E6327HTSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	7.89
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.28 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1100 MHz	Base Number Matches：	1

BF799E6327HTSA1 数据手册

BF799

NPN Silicon RF Transistor

• For linear broadband amplifier

application up to 500 MHz

• SAW filter driver in TV tuners

• Pb-free (RoHS compliant) package

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BF799

LKs

1 = B

2 = E

3 = C

SOT23

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

280

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

Peak collector current,

Peak base current

°C

Total power dissipation

tot

T ≤ 69 °C

150

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

≤ 290

K/W

thJS

T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

2011-09-21

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