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BF799W

更新时间: 2024-11-10 22:31:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体过滤器放大器晶体管电视驱动
页数 文件大小 规格书
5页 57K
描述
NPN Silicon RF Transistor (For linear broadband amplifier applications up to 500MHz SAW filter driver in TV tuners)

BF799W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.29最大集电极电流 (IC):0.035 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.28 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):1100 MHzBase Number Matches:1

BF799W 数据手册

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BF 799W  
NPN Silicon RF Transistor  
• For linear broadband amplifier applications  
up to 500MHz  
• SAW filter driver in TV tuners  
Type  
Marking Ordering Code  
LKs Q62702-F1571  
Pin Configuration  
1 = B 2 = E  
Package  
BF 799W  
3 = C  
SOT-323  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
20  
30  
30  
3
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
I
I
35  
10  
mA  
mW  
°C  
C
Base current  
B
Total power dissipation  
P
tot  
T 107 °C  
S
280  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
j
- 65 ... - 150  
stg  
Thermal Resistance  
Junction - soldering point  
R
thJS  
155  
K/W  
Semiconductor Group  
1
Nov-28-1996  

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