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BF820

更新时间： 2024-11-12 14:52:51

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先科 - SWST		晶体管
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5页	364K
描述
小信号晶体管

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BF820 数据手册

BF820

NPN Silicon High Voltage Transistor

Applications

• For high voltage switching and amplifier applications

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

300

100

℃

Peak Collector Current

Peak Base Current

I_CM

I_BM

Power Dissipation

P_tot

350

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout

1 / 5

Dated: 29/06/2022 Rev: 02

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BF820/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
BF820/T4	NXP	获取价格	TRANSISTOR 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
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