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BF776 PDF预览

BF776

更新时间： 2024-11-11 20:23:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 505K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BF776 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
其他特性：LOW NOISE外壳连接：EMITTER
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：0.2 pF
集电极-发射极最大电压：4 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：110最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP RF Small Signal
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：46000 MHzBase Number Matches：1

BF776 数据手册

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BF776  
High Performance NPN Bipolar RF Transistor  
• High performance low noise amplifier  
3
• Low minimum noise figure of typ. 0.8 dB @ 1.8 GHz  
• For a wide range of non automotive applications  
such as WLAN, WiMax, UWB, Bluetooth, GPS,  
SDARs, DAB, LNB, UMTS/LTE and ISM bands  
2
4
1
• Easy to use standard package with visible leads  
• Pb-free (RoHS compliant) package  
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BF776  
Marking  
R3s  
Pin Configuration  
1=B 2=E 3=C 4=E  
Package  
SOT343  
-
-
Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Collector-emitter voltage  
V
CEO  
T = 25 °C  
4.0  
3.5  
13  
13  
1.2  
50  
A
T = -55 °C  
A
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Base current  
Total power dissipation  
V
V
V
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
I
C
3
200  
B
1)  
P
tot  
T ≤ 90°C  
S
150  
-55 ... 150  
-55 ... 150  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
J
A
S
tg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
≤ 300  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1T is measured on the emitter lead at the soldering point to the pcb  
S
2For calculation of R  
please refer to Application Note Thermal Resistance  
thJA  
2010-04-06  
1
123456

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与BF776相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BF776-E6327 INFINEON

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon Germanium, NPN
BF776E6327HTSA1 INFINEON

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
BF776H6327 INFINEON

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
BF776-H6327 INFINEON

获取价格

 		High Performance NPN Bipolar RF Transistor
BF776H6327XTSA1 INFINEON

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
BF777 INFINEON

获取价格

 		NPN SILICON RF TRANSISTOR (FOR UHF/VHF FREQUENCY CONVERTERS AND LOCAL OSCILLATORS)
BF777W INFINEON

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN
BF799 INFINEON

获取价格

 		NPN SILICON RF TRANSISTOR (For linear broadband amplifier applications up to 500 MHz SAW f
BF799_07 INFINEON

获取价格

 		NPN Silicon RF Transistor
BF799E6327 INFINEON

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil

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