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BF772-E6327

更新时间： 2024-11-12 04:00:35

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Transistor

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BF772-E6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.58 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	6000 MHz	Base Number Matches：	1

BF772-E6327 数据手册

BF772

NPN Silicon RF Transistor

For application in TV-sat tuners

VPS05178

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

Marking

Pin Configuration

2 = E 3 = B 4 = E

Package

BF772

RAs

1 = C

SOT143

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

580

°C

Base current

Total power dissipation

tot

72 °C

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

150

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

K/W

Junction - soldering point

135

thJS

T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Jun-27-2001

12 3 4 5

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