BF599

更新时间： 2024-09-12 22:39:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体放大器晶体管射频
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4页	64K
描述
NPN Silicon RF Transistor (Common emitter IF/RF amplifier Low feedback capacitance due to shield diffusion)

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BF599 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	38
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.28 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

BF599 数据手册

NPN Silicon RF Transistor

BF 599

● Common emitter IF/RF amplifier

● Low feedback capacitance

due to shield diffusion

Package¹⁾

SOT-23

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BF 599

Q62702-F979

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CE0

CB0

EB0

Base current

Total power dissipation, TA ≤ 25 ˚C

Junction temperature

Storage temperature range

tot

280

150

˚C

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

≤ 450

K/W

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on alumina 15 mm × 16.7 mm × 0.7 mm.

07.94

Semiconductor Group

12 3 4

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