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BDX67B

更新时间： 2024-11-03 22:39:35

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SEME-LAB		晶体晶体管局域网
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2页	27K
描述
NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR

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BDX67B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	16 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDX67B 数据手册

BDX67

BDX67A

BDX67B

BDX67C

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

NPN EPITAXIAL BASE

DARLINGTON POWER

TRANSISTOR

26.6 max.

4. 2

9.0 max.

2.5

NPN epitaxial base transistors in

monolithic Darlington circuit for

audio output stages and general

amplifier and switching

applications.

PNP complements are:

10.9

12.8

BDX66, BDX66A, BDX66B, BDX66C.

TO3 Package.

Case connected to collector.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25°C unless otherwise stated)

case

BDX BDX BDX BDX

67 67A 67B 67C

60 80 100 120

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector - emitter voltage (open base)

Collector - base voltage (open emitter)

Emitter - base voltage (open collector)

Collector current

80 100 120 140

I_CM

Collector current (peak)

I_B

Base current

250

150

200

P_tot

Total power dissipation at T_mb= 25°C

Maximum junction temperature

Storage junction temperature

Thermal resistance, junction to mounting base.

T_j

°C

K/ W

T_stj

-65 to +200

1.17

R_{th j-mb}

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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