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BDX69

更新时间： 2024-02-16 14:03:05

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SEME-LAB		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	21K
描述
NPN DARLINGTON POWER TRANSISTOR

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BDX69 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDX69 数据手册

BDX69A

BDX69B

BDX69C

S E M E

LA B

MECHANICAL DATA

NPN

Dimensions in mm

DARLINGTON

POWER

TRANSISTOR

26.6 max.

4. 2

9.0 max.

2.5

NPN Darlington transistors for audio

output stages and general amplifier

and switching applications.

PNP complements are:

BDX68, BDX68A, BDX68B, BDX68C.

10.9

12.8

TO3 Package.

Case is collector.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

BDX BDX BDX BDX

= 25°C unless otherwise stated)

69A

69B

69C

case

V_CBO

V_CEO

V_EBO

Collector – Base Voltage (Open Emitter)

80V 100V 120V 140V

Collector – Emitter Voltage (Open Base)

Emitter – Base Voltage (Open Collector)

60V

80V 100V 120V

I_C

Collector Current

25A

40A

I_CM

I_B

Collector Current (Peak)

Base Current

500mA

200W

P_tot

T_J

Total Power Dissipation at T_MB= 25°C

Maximum Junction Temperature

Storage Junction Temperature

Thermal Resistance, Junction to Mounting Base.

200°C

T_STG

–65 to 200°C

0.875°C / W

J-MB

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 1/95

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