BDX69C

更新时间： 2024-01-28 15:48:26

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	202K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDX69C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDX69/A/B/C

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min)@ I_C= 20A

·Low Saturation Voltage

·Complement to Type BDX68/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDX69

BDX69A

BDX69B

BDX69C

BDX69

100

120

140

V_CBO

Collector-Base Voltage

BDX69A

BDX69B

BDX69C

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

120

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

500

150

200

-65~200

℃

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

0.875 ℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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