BDX68C

更新时间： 2024-02-25 14:02:47

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	202K
描述
Silicon PNP Darlington Power Transistor

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BDX68C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BDX68C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

BDX68/A/B/C

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min)@ I_C= -20A

·Low Saturation Voltage

·Complement to Type BDX69/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for audio output stages and general amplifier

and switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

-80

UNIT

BDX68

BDX68A

BDX68B

BDX68C

BDX68

-100

-120

-140

-60

V_CBO

Collector-Base Voltage

BDX68A

BDX68B

BDX68C

-80

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-100

-120

-5

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

-25

-40

-500

150

℃

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

Junction Temperature

200

Storage Temperature Range

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

0.875 ℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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