BDX78

更新时间： 2024-02-27 10:01:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	43K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BDX78 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	32 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	7 MHz
Base Number Matches：	1

BDX78 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BDX78

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type BDX77

APPLICATIONS

·Medium power switching

·Amplifier

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak t_p=10ms

Base current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-100

-80

UNIT

Open base

Open collector

-5

-8

I_CM

-12

I_B

-3

P_tot

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_mb=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance from junction to ambient

VALUE

UNIT

R_{th j-a}

K/W

12 3

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