BDX83C

更新时间： 2024-09-27 08:52:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	74K
描述
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDX83C 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BDX83C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDX83/A/B/C

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min)@ I_C= 5A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 45V(Min)- BDX83; 60V(Min)- BDX83A

80V(Min)- BDX83B; 100V(Min)- BDX83C

APPLICATIONS

·Power switching

·Hammer drivers

·Series and shunt regulators

·Audio amplifiers

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDX83

BDX83A

BDX83B

BDX83C

BDX83

V_CBO

Collector-Base Voltage

100

BDX83A

BDX83B

BDX83C

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

250

125

200

-65~200

℃

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.4

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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