BDX85

更新时间： 2024-01-29 10:28:21

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2页	203K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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BDX85 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.15
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

BDX85 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

BDX85/A/B/C

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 750(Min)@ I_C= 3A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A

80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C

·Complement to Type BDX86/A/B/C

APPLICATIONS

·Designed for use in power linear and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

BDX85

BDX85A

BDX85B

BDX85C

BDX85

V_CBO

Collector-Base Voltage

100

BDX85A

BDX85B

BDX85C

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

100

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

100

200

-65~200

℃

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.75

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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