BDX77F

更新时间： 2024-09-26 06:41:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BDX77F 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

BDX77F 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDX77F

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 80V(Min)

·Complement to Type BDX78F

APPLICATIONS

·Designed for use in hi-fi equipment delivering an output

of 15 to 15 W into a 4Ωor 8Ωload.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak s

Base Current

VALUE

UNIT

100

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

6.3

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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