5秒后页面跳转
BDX67C PDF预览

BDX67C

更新时间: 2024-11-04 06:41:59
品牌 Logo 应用领域
COMSET 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 140K
描述
NPN SILICON DARLINGTONS

BDX67C 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.05
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):16 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):1000
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):150 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):7 MHz
Base Number Matches:1

BDX67C 数据手册

 浏览型号BDX67C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDX67C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDX67C的Datasheet PDF文件第4页 
BDX67, A, B, C  
NPN SILICON DARLINGTONS  
High current power darlingtons designed for power amplification and  
switching applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Ratings  
Value  
Unit  
BDX67  
60  
80  
100  
120  
80  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
BDX67  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
V
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
100  
120  
140  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCBO  
V
V
BDX67  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
BDX67  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
BDX67  
VEBO  
5.0  
16  
IC(RMS)  
Collector Current  
IC  
A
A
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
20  
ICM  
BDX67  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
Base Current  
0.25  
150  
IB  
BDX67  
Watts  
W/°C  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
Power Dissipation  
@ TC = 25°  
PT  
BDX67  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
TS  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
-55 to +200  
°C  
BDX67, A, B, C  
COMSET SEMICONDUCTORS  
1/4  

与BDX67C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX67CECC SEME-LAB

获取价格

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3
BDX68 SEME-LAB

获取价格

PNP DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX68 ISC

获取价格

Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX68 NJSEMI

获取价格

Trans Darlington Darlington Power Transistor 60V 25A
BDX68A SEME-LAB

获取价格

PNP DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX68A ISC

获取价格

Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX68B ISC

获取价格

Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDX68B SEME-LAB

获取价格

PNP DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX68C SEME-LAB

获取价格

PNP DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BDX68C ISC

获取价格

Silicon PNP Darlington Power Transistor