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BDX67C

更新时间: 2024-09-23 06:41:59
品牌 Logo 应用领域
COMSET 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 140K
描述
NPN SILICON DARLINGTONS

BDX67C 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.05
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):16 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):1000
最高工作温度:200 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):150 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):7 MHz
Base Number Matches:1

BDX67C 数据手册

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BDX67, A, B, C  
NPN SILICON DARLINGTONS  
High current power darlingtons designed for power amplification and  
switching applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Ratings  
Value  
Unit  
BDX67  
60  
80  
100  
120  
80  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
BDX67  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
V
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
100  
120  
140  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCBO  
V
V
BDX67  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
BDX67  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
BDX67  
VEBO  
5.0  
16  
IC(RMS)  
Collector Current  
IC  
A
A
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
20  
ICM  
BDX67  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
Base Current  
0.25  
150  
IB  
BDX67  
Watts  
W/°C  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
Power Dissipation  
@ TC = 25°  
PT  
BDX67  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
TS  
BDX67A  
BDX67B  
BDX67C  
-55 to +200  
°C  
BDX67, A, B, C  
COMSET SEMICONDUCTORS  
1/4  

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