5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 65 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD801U2 | MOTOROLA |
获取价格 |
7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| BD801UA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BD801W | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
|
| BD801WD | MOTOROLA |
获取价格 |
7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| BD802 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
|
| BD802 | MOTOROLA |
获取价格 |
Plastic High Power Silicon PNP Transistor |
|
| BD802 | ONSEMI |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS PNP SILICON |
|
| BD802 | INTERSIL |
获取价格 |
EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
|
| BD802 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,8A I(C),TO-220AB |
|
| BD802 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
