5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD802AU
BD802AU PDF预览

BD802AU

更新时间： 2024-11-04 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

BD802AU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD802AU 数据手册

 浏览型号BD802AU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD802AU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD802AU的Datasheet PDF文件第4页 
Order this document  
by BD802/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
8 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
PNP SILICON  
. . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi  
complementary circuits.  
100 VOLTS  
65 WATTS  
•
•
DC Current Gain — h = 40 (Min) @ I = 1.0 Adc  
FE C  
BD802 is complementary with BD 795, 797, 799, 801  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
100  
5.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
I
C
8.0  
Base Current  
I
B
3.0  
Total Device Dissipation T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
65  
522  
Watts  
mW/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
1.92  
C/W  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Sustaining Voltage*  
BV  
100  
—
Vdc  
CEO  
(I = 0.05 Adc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 100 Vdc, I = 0)  
I
—
—
0.1  
1.0  
mAdc  
mAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
BE  
C
DC Current Gain  
(I = 1.0 A, V  
(I = 3.0 A, V  
C CE  
h
FE  
= 2.0 V)  
= 2.0 V)  
30  
15  
—
—
C
CE  
Collector–Emitter Saturation Voltage*  
(I = 3.0 Adc, I = 0.3 Adc)  
V
—
—
1.0  
1.6  
—
Vdc  
Vdc  
MHz  
CE(sat)  
C
B
Base–Emitter On Voltage*  
(I = 3.0 Adc, V = 2.0 Vdc)  
V
BE(on)  
C
CE  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
T
3.0  
(I = 0.25 Adc, V  
C
= 10 Vdc,  
CE  
f = MHz)  
* Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2.0.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
1234

中文翻译

下载PDF

与BD802AU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD802BA ONSEMI

获取价格

 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD802BC ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BD802BD ONSEMI

获取价格

 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD802BG ONSEMI

获取价格

 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD802BS ONSEMI

获取价格

 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD802BU ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BD802BV ONSEMI

获取价格

 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD802C MOTOROLA

获取价格

 		7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD802D1 MOTOROLA

获取价格

 		7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD802DW ONSEMI

获取价格

 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

与BD802AU相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证