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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BD802WD
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BD802WD

更新时间： 2024-11-07 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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BD802WD 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：65 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

BD802WD 数据手册

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by BD802/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
8 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
PNP SILICON  
. . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi  
complementary circuits.  
100 VOLTS  
65 WATTS  
•
•
DC Current Gain — h = 40 (Min) @ I = 1.0 Adc  
FE C  
BD802 is complementary with BD 795, 797, 799, 801  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
100  
5.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
I
C
8.0  
Base Current  
I
B
3.0  
Total Device Dissipation T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
65  
522  
Watts  
mW/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
1.92  
C/W  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Sustaining Voltage*  
BV  
100  
—
Vdc  
CEO  
(I = 0.05 Adc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 100 Vdc, I = 0)  
I
—
—
0.1  
1.0  
mAdc  
mAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
BE  
C
DC Current Gain  
(I = 1.0 A, V  
(I = 3.0 A, V  
C CE  
h
FE  
= 2.0 V)  
= 2.0 V)  
30  
15  
—
—
C
CE  
Collector–Emitter Saturation Voltage*  
(I = 3.0 Adc, I = 0.3 Adc)  
V
—
—
1.0  
1.6  
—
Vdc  
Vdc  
MHz  
CE(sat)  
C
B
Base–Emitter On Voltage*  
(I = 3.0 Adc, V = 2.0 Vdc)  
V
BE(on)  
C
CE  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
T
3.0  
(I = 0.25 Adc, V  
C
= 10 Vdc,  
CE  
f = MHz)  
* Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2.0.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
1234

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