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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 90 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1.5 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD807WD | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD808 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistor |
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| BD808 | MOTOROLA |
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Plastic High Power Silicon PNP Transistor |
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| BD808 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| BD808/D | ETC |
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Plastic High Power Silicon PNP Transistor |
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| BD80816 | MOTOROLA |
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10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BD80816A | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD8083A | BULGIN |
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BD8083A是一款输出耐压可达42V，7-32V输入电压条件正常工作，并且能够实现精确恒 |
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| BD808A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD808AF | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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