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BD808

更新时间： 2024-11-04 06:41:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
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2页	224K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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BD808 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.79

BD808 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BD808

DESCRIPTION

·DC Current Gain -

: h_FE=30@ I_C= -2A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= -60V(Min)

·Complement to Type BD807

APPLICATIONS

·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing

complementary or quasi complementary circuits.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current

VALUE

-70

UNIT

-60

-5

-10

I_B

-6

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.39

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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