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BD802BG

更新时间： 2024-01-23 19:38:37
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
59页 341K
描述
8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

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BD802BG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BD802BG 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
8 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
PNP SILICON  
. . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi  
complementary circuits.  
100 VOLTS  
65 WATTS  
•
•
DC Current Gain — h = 40 (Min) @ I = 1.0 Adc  
FE C  
BD802 is complementary with BD 795, 797, 799, 801  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
100  
100  
5.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
I
C
8.0  
Base Current  
I
B
3.0  
Total Device Dissipation T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
65  
522  
Watts  
mW/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
θ
1.92  
C/W  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Sustaining Voltage*  
BV  
100  
—
Vdc  
CEO  
(I = 0.05 Adc, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 100 Vdc, I = 0)  
I
—
—
0.1  
1.0  
mAdc  
mAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
BE  
C
DC Current Gain  
(I = 1.0 A, V  
(I = 3.0 A, V  
C
h
FE  
= 2.0 V)  
CE  
= 2.0 V)  
CE  
30  
15  
—
—
C
Collector–Emitter Saturation Voltage*  
(I = 3.0 Adc, I = 0.3 Adc)  
V
—
—
1.0  
1.6  
—
Vdc  
Vdc  
MHz  
CE(sat)  
C
B
Base–Emitter On Voltage*  
(I = 3.0 Adc, V = 2.0 Vdc)  
V
BE(on)  
C
CE  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
T
3.0  
(I = 0.25 Adc, V  
C
= 10 Vdc,  
CE  
f = MHz)  
* Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2.0.  
REV 7  
3–204  
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
1234567...59

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD802BS ONSEMI

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 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
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