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BD802

更新时间： 2024-02-09 23:10:04

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	246K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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BD802 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	65 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD802 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BD802

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= -100V(Min)

·Low Saturation Voltage

·Complement to Type BD801

APPLICATIONS

·Designed for a wide variety of medium-power switching and

amplifier applications , such as series and shunt regulators

and driver and output stages of high-fidelity amplifiers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-8

I_B

-3

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

Storage Ttemperature Range

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.92

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD802/D	ETC	获取价格	Plastic High Power Silicon PNP Transistor
BD80216	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD80216A	MOTOROLA	获取价格	7A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD802A	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD802AF	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD802AF	ONSEMI	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD802AJ	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BD802AJ	ONSEMI	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD802AK	ONSEMI	获取价格	8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BD802AN	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu