5秒后页面跳转
BD801U2 PDF预览

BD801U2

更新时间: 2024-01-14 20:56:53
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 156K
描述
7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

BD801U2 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.75
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:65 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

BD801U2 数据手册

 浏览型号BD801U2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD801U2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BD801U2的Datasheet PDF文件第4页 

与BD801U2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD801UA MOTOROLA

获取价格

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BD801W MOTOROLA

获取价格

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
BD801WD MOTOROLA

获取价格

7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD802 ISC

获取价格

isc Silicon PNP Power Transistor
BD802 MOTOROLA

获取价格

Plastic High Power Silicon PNP Transistor
BD802 ONSEMI

获取价格

POWER TRANSISTORS PNP SILICON
BD802 INTERSIL

获取价格

EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS
BD802 NSC

获取价格

TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,8A I(C),TO-220AB
BD802 NJSEMI

获取价格

Trans GP BJT PNP 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
BD802/D ETC

获取价格

Plastic High Power Silicon PNP Transistor