Datasheet > BD139

BD139

更新时间： 2024-11-02 08:51:11

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	341K
描述
Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BD139 数据手册

M C C

BD135

BD137

BD139

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

ꢀ

)HDWXUHVꢀ

Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Power Transistors

NPN Silicon

•

DC Current Gain - h_FE= 40 (Min) @I_C= 150mAdc

Complementary with BD136, BD138, BD140

45,60,80 Voltsꢀ

0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀ

Rating

Collector-Emitter Voltage

Symbol

Value

Unit

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

BD135

BD137

BD139

V_CEO

Vdc

Collector-Base Voltage

BD135

BD137

BD139

5.0

1.5

0.5

V_CBO

Vdc

ꢀ

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_EBO

I_C

I_B

Vdc

Adc

Base Current

Total Device Dissipation @T_A=25

Derate above 25

Total Device Dissipation @T_C=25

Derate above 25

Operating & Storage Temperature Range

Maximum Thermal Resistance Junction to

Case

Maximum Thermal Resistance Junction to

Ambient Air

Watt

mW/

1.25

ꢀ

P_D

Watt

mW/

12.5

100

P_D

T_J, T_STG

-55 to +150

100

Symbol

BV_CEO

Parameter

Min

Max

Units

Collector-Emitter Sustaining Voltage*

(I_C=30mA,I_B=0) BD135

BD137

Vdc

BD139

I_CBO

Collector Cutoff Current

(V_CB=30Vdc, I_E=0)

(V_CB=30Vdc, I_E=0, T_C=125

0.1

µAdc

PIN 1.

PIN 2.

PIN 3.

EMITTER

COLLECTOR

BASE

)

I_EBO

Emitter Cutoff Current

(V_BE=5.0Vdc, I_C=0)

DIMENSIONS

DC Current Gain*

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

ꢇꢀꢁꢆ

ꢇꢇꢆ

ꢇꢀꢁꢆ

h_FE(1)

h_FE(2)

h_FE(3)

V_CE(sat)

(I_C=5mAdc, V_CE=2Vdc)

(I_C=0.5Adc, V_CE=2Vdc)

(I_C=150mAdc, V_CE=2Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter ON Voltage

(V_CE=2V, I_C=0.5A)

ꢈꢀꢇꢆ

ꢇꢉꢊꢆ

ꢁꢋꢌꢄꢆ

ꢉꢆ

ꢍ

0.291

0.417

0.602

ꢎꢏꢐꢑ4

0.118

0.026

0.046

0.307ꢆ

0.433

0.618

ꢎꢏꢐꢒ1

0.126

0.034

0.054

7.40

10.60

15.30

3.90

3.00

0.66

7.80

11.00

15.70

4.10

3.20

0.86

1.37

250

0.5

ꢂꢆ

ꢈꢆ

ꢄꢆ

ꢓ

Vdc

V_BE(on)

ꢔ

1.17

ꢕꢆ

0.090TYP

2.290TYP

FE(3)

CLASSIFICATION OF H

Rank

ꢖꢆ

0.098

0.114

2.50

2.90

0.083

0.000

0.043

0.091

0.012

0.059

2.10

0.00

1.10

2.30

0.30

1.50

63-160

100-250

Range

40-100

0.018

0.024

0.45

0.60

*Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

中文翻译

下载PDF

与BD139相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD139_09	UTC	获取价格	NPN POWER TRANSISTORS
BD13910	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
BD139-10	STMICROELECTRONICS	获取价格	Complementary low voltage transistor
BD139-10	INFINEON	获取价格	NPN SILICON TRANSISTORS
BD139-10	NXP	获取价格	NPN power transistors
BD139-10	COMSET	获取价格	Transistor
BD139-10	CENTRAL	获取价格	80V,1.5A,1.25W Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/S
BD13910S	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor
BD13910S	ONSEMI	获取价格	1.5 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
BD13910STU	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Transistor

与BD139相关文章

一文读懂BD139引脚图及功能、工作原理详解
2024-03-06

134
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

5
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BD139

BD139 数据手册

与BD139相关器件

与BD139相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BD139

BD139 数据手册

与BD139相关器件

与BD139相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？