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BD13916STU_NL

更新时间： 2024-11-02 19:43:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3

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BD13916STU_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD13916STU_NL 数据手册

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BD135/137/139  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD135  
: BD137  
: BD139  
45  
60  
80  
V
V
V
CBO  
V
: BD135  
: BD137  
: BD139  
45  
60  
80  
V
V
V
CEO  
EBO  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
1.5  
V
A
I
I
I
C
3.0  
A
CP  
B
0.5  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
12.5  
W
W
°C  
°C  
C
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.25  
C
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD135  
: BD137  
: BD139  
I
= 30mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
V
V
= 30V, I = 0  
0.1  
10  
µA  
µA  
CBO  
CB  
E
I
= 5V, I = 0  
C
EBO  
EB  
h
h
h
DC Current Gain  
: ALL DEVICE  
: ALL DEVICE  
: BD135  
V
V
V
= 2V, I = 5mA  
25  
25  
40  
40  
FE1  
CE  
CE  
CE  
C
= 2V, I = 0.5A  
FE2  
FE3  
C
= 2V, I = 150mA  
250  
160  
C
: BD137, BD139  
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
I
= 500mA, I = 50mA  
0.5  
1
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
= 2V, I = 0.5A  
CE  
C
h
Classification  
FE  
Classification  
6
10  
16  
100 ~ 250  
h
40 ~ 100  
63 ~ 160  
FE3  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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与BD13916STU_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD139-16-T60-K UTC

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 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD139-25 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD1396 FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD139-6 INFINEON

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 		NPN SILICON TRANSISTORS
BD1396S FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD1396STU FAIRCHILD

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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor
BD1396STU ONSEMI

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 		1.5 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor
BD139G ONSEMI

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 		Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD139G-10-T60-K UTC

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 		Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD139G-10-T6S-K UTC

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 		Power Bipolar Transistor,

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