BD139G-T60-K

更新时间： 2024-11-02 12:50:07

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描述
NPN POWER TRANSISTORS

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BD139G-T60-K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SIP	包装说明：	HALOGEN FREE PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	190 MHz	Base Number Matches：	1

BD139G-T60-K 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

BD139

NPN SILICON TRANSISTOR

NPN POWER TRANSISTORS

FEATURES

* High current (max.1.5A)

* Low voltage (max.80V)

TO-251

TO-126

Lead-free:

BD139L

Halogen-free: BD139G

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Normal

Lead Free

Halogen Free

BD139G-T60-K

BD139G-TM3-T

BD139-T60-K

BD139-TM3-T

BD139L-T60-K

BD139L-TM3-T

TO-126

TO-251

Bulk

Tube

BD139L-T60-B

(1) B: Bulk, T: Tube

(2) T60: TO-126, TM3: TO-251

(3) G: Halogen Free, L: Lead Free, Blank: Pb/Sn

(1)Packing Type

(2)Package Type

(3)Lead Plating

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R204-007.B

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD139G-TM3-T	UTC	获取价格	NPN POWER TRANSISTORS
BD139L-10-T60-K	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD139L-10-T6S-K	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor,
BD139L-10-TM3-T	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), NPN,
BD139L-16-T60-K	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD139L-16-T6S-K	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor,
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BD139LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti
BD139L-T60-K	UTC	获取价格	NPN POWER TRANSISTORS
BD139L-TM3-T	UTC	获取价格	NPN POWER TRANSISTORS