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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.59 |
| JESD-609代码： | e3 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD13910S | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| BD13910S | ONSEMI |
获取价格 |
1.5 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor |
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| BD13910STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| BD13910STU | ONSEMI |
获取价格 |
1.5 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor |
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| BD139-10-T60-K | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
|
| BD13916 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
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| BD13916 | CJ |
获取价格 |
Transistor |
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| BD139-16 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Complementary low voltage transistor |
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| BD139-16 | NXP |
获取价格 |
NPN power transistors |
|
| BD139-16 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
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