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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCX52-10-TP
BCX52-10-TP PDF预览

BCX52-10-TP

更新时间： 2024-11-24 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 281K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), PNP, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BCX52-10-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
最大集电极电流 (IC)：1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：63JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BCX52-10-TP 数据手册

 浏览型号BCX52-10-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCX52-10-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
BCX52  
BCX52-10  
BCX52-16  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
PNP  
ꢀꢁ Power Dissipation: PCM=0.5W (Tamb=25R)  
ꢀꢁ Collector Current: ICM=-1.0A  
Plastic-Encapsulate  
ꢀ
Transistors  
ꢀꢁ Collector-Base Voltage: V(BR)CBO=-60V  
ꢀꢁ Marking Code: BCX52=AE, BCX52-10=AG, BCX52-16=AM  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisure Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
Rating  
Value  
-60  
-60  
Unit  
V
V
SOT-89  
ꢀ
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
A
V(BR)EBO  
IC  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Current DC  
-5  
-1.0  
V
A
K
ꢀ
ꢀ
ꢀ
B
ꢀ
ꢀ
ꢀ
PC  
TJ  
TSTG  
Collector Power Dissipation  
Junction TemperatureRange  
Storage Temperature  
Range  
0.5  
-55 to +150  
-55 to +150  
W
OC  
OC  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
E
ꢀ
ꢀ
Electrical Characteristics @ 25ꢂC Unless Otherwise Specified  
Typ  
ꢀ
C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Parameter  
Min  
Max Units  
D
ꢀ
ꢀ
OFF CHARACTERISTICS  
ꢀ
ꢀ
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-100uA, IE=0)  
G
H
V(BR)CBO  
-60  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
V
V
J
ꢀ
ꢀ
F
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mA, IB=0)  
ꢀ
ꢀ
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
-60  
-5  
ꢀ
ꢀ
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-100uA, IC=0)  
V
ꢀ
ꢀ
ICBO  
IEBO  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-30V, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-5.0V, IC=0)  
ꢀ
ꢀ
uA  
---  
---  
---  
---  
-0.1  
-0.1  
ꢀ
ꢀ
B
E
C
uA  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
hFE(1)  
DC Current Gain  
(VCE=-2.0V, IC=-150mA)  
BCX52  
ꢀ
ꢀ
63  
63  
100  
---  
---  
---  
250  
160  
250  
---  
ꢀ
BCX52-10  
BCX52-16  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ  
hFE(2)  
hFE(3)  
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
DC Current Gain  
(VCE=2.0V, IC=-5.0mA)  
DC Current Gain  
ꢀ
63  
40  
---  
ꢈꢀꢇꢆ  
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1.55  
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ꢉꢆ  
ꢖ
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ꢍꢎꢑꢎꢆ  
(VCE=-2.0V, IC=-500mA)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-500mA,IB=-50mA)  
Base-Emitter Voltage  
(IC=-500mA, VCE=-2.0V)  
Transition Frequency  
(VCE=-5V, IC=-10mA,  
f=100MHz)  
.061  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
REF.  
ꢆ
ꢂꢆ  
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ꢕꢍꢑꢕꢆ  
ꢘꢍꢐꢒꢆ  
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ꢕꢍꢐꢐꢆ  
ꢕꢍꢐꢑꢆ  
ꢕꢍꢐꢑꢆ  
ꢎꢍꢒꢕꢆ  
ꢒꢍ25ꢆ  
ꢎꢍꢕꢕꢆ  
ꢘꢍꢗꢒꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
-0.5  
-1  
V
V
---  
---  
ꢆ
ꢆ
ꢌꢛꢜꢆ  
---  
---  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
50  
---  
MHz  
 ꢆ  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与BCX52-10-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCX52-10-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
BCX52-10TR CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
BCX52-10TR13 CENTRAL

获取价格

 		Transistor
BCX5216 DIODES

获取价格

 		PNP, 60V, 1A, SOT89
BCX52-16 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BCX52-16 TYSEMI

获取价格

 		High current (max. 1 A). Low voltage (max. 80 V). Emitter-base voltage VEBO -5 V
BCX52-16 KEXIN

获取价格

 		PNP Medium Power Transistors
BCX52-16 NEXPERIA

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 		60 V, 1 A PNP medium power transistorProduction
BCX52-16 NXP

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 		PNP medium power transistors
BCX52-16 INFINEON

获取价格

 		PNP Silicon AF Transistors

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