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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.32 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX52-16-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| BCX52-16-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| BCX52-16TR | CENTRAL |
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暂无描述 |
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| BCX52-16TR13 | CENTRAL |
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Transistor |
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| BCX52-6 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
|
| BCX52-AE | ZETEX |
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SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| BCX52AF | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI |
|
| BCX52AG | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, POWER, MI |
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| BCX52BK | CENTRAL |
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Transistor |
|
| BCX52E6327 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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