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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.09 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BCX52TA | DIODES |
功能相似  |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89 |
|
| BCX5216TA | DIODES |
功能相似 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89 |
|
| BCX5210TA | DIODES |
功能相似 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX52-16-E6327 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistors |
|
| BCX5216E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| BCX52-16E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCX52-16-G | COMCHIP |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
|
| BCX5216H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor, |
|
| BCX52-16LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| BCX5216Q | DIODES |
获取价格 |
PNP, 60V, 1A, SOT89 |
|
| BCX5216QTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| BCX52-16T | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A PNP power bipolar transistorsProduction |
|
| BCX52-16T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
|
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