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BCX52-6

更新时间: 2024-01-18 17:34:07
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 175K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89

BCX52-6 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.69Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:140 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):125 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

BCX52-6 数据手册

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