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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BCX51-10TR
BCX51-10TR PDF预览

BCX51-10TR

更新时间： 2024-11-24 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 285K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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BCX51-10TR 技术参数

生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.13外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：63
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

BCX51-10TR 数据手册

 浏览型号BCX51-10TR的Datasheet PDF文件第2页 
BCX51  
BCX52  
BCX53  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51, BCX52,  
and BCX53 types are PNP Silicon Transistors  
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy  
molded in a surface mount package, designed for high  
current general purpose amplifier applications.  
PNP SILICON TRANSISTOR  
MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE  
ON FOLLOWING PAGE  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
BCX51  
45  
45  
BCX52  
60  
60  
5.0  
1.0  
1.5  
100  
200  
1.3  
BCX53  
100  
80  
UNITS  
V
V
V
A
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Peak Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
A
CM  
I
mA  
mA  
W
°C  
°C/W  
B
I
BM  
P
D
T , T  
-65 to +150  
96  
J
stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
100  
10  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
V
V
V
V
I
I
I
V
V
V
=30V  
=30V, T =125°C  
=5.0V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
A
100  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
I =100µA (BCX51)  
45  
60  
100  
45  
60  
80  
CBO  
CBO  
CBO  
CEO  
CEO  
CEO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
I =100µA (BCX52)  
C
I =100µA (BCX53)  
C
I =10mA (BCX51)  
C
I =10mA (BCX52)  
C
I =10mA (BCX53)  
V
V
V
C
V
V
h
h
h
I =500mA, I =50mA  
0.5  
1.0  
C
B
C
C
C
V
=2.0V, I =500mA  
=2.0V, I =5.0mA  
=2.0V, I =150mA  
=2.0V, I =150mA  
CE  
CE  
CE  
CE  
V
V
V
40  
63  
250  
160  
250  
FE  
FE  
C
(BCX51-10, BCX52-10, BCX53-10)  
V =2.0V, I =150mA  
63  
h
h
FE  
CE  
(BCX51-16, BCX52-16, BCX53-16)  
=2.0V, I =500mA  
C
100  
25  
V
V
FE  
CE  
C
f
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
50  
MHz  
T
CE  
C
R5 (20-November 2009)  
12

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与BCX51-10TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCX51-10TR13 CENTRAL

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 		Transistor
BCX5116 DIODES

获取价格

 		PNP, 45V, 1A, SOT89
BCX51-16 CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BCX51-16 NXP

获取价格

 		PNP medium power transistors
BCX51-16 INFINEON

获取价格

 		PNP Silicon AF Transistors
BCX51-16 KEXIN

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 		PNP Medium Power Transistors
BCX51-16 TYSEMI

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 		High current (max. 1 A). Low voltage (max. 80 V). Emitter-base voltage VEBO -5 V
BCX51-16 NEXPERIA

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 		45 V, 1 A PNP medium power transistorProduction
BCX51-16 MCC

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 		PNP Plastic-Encapsulate Transistors
BCX51-16 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		45V,1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

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