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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.08 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BC869 | NEXPERIA |
功能相似  |
20 V, 2 A PNP medium power transistorProduction |
|
| BCX51-16 | NEXPERIA |
功能相似 |
45 V, 1 A PNP medium power transistorProduction |
|
| BCX51-10 | NEXPERIA |
功能相似 |
45 V, 1 A PNP medium power transistorProduction |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX51-16,115 | NXP |
获取价格 |
45 V, 1 A PNP medium power transistor SOT-89 3-Pin |
|
| BCX51-16,135 | NXP |
获取价格 |
45 V, 1 A PNP medium power transistor SOT-89 3-Pin |
|
| BCX51-16/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243, PLASTIC, MPT3, SMD, SC-62, UPAK-3 |
|
| BCX51-16-AD | ZETEX |
获取价格 |
SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
|
| BCX51-16E6327 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| BCX51-16E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
Si, POWER TRANSISTOR |
|
| BCX5116E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
|
| BCX51-16E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCX51-16-G | COMCHIP |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
|
| BCX5116H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
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