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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-89 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.04 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-243 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCX51-16-AD | ZETEX |
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SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| BCX51-16E6327 | INFINEON |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| BCX51-16E6327 | ROCHESTER |
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Si, POWER TRANSISTOR |
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| BCX5116E6327HTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor |
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| BCX51-16E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCX51-16-G | COMCHIP |
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General Purpose Transistor |
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| BCX5116H6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| BCX5116H6433XTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| BCX51-16LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| BCX51-16-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
45 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction |
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